一种II类超晶格长波红外探测器
授权
摘要
本实用新型涉及红外探测器技术领域，提供了一种II类超晶格长波红外探测器，包括衬底，还包括于所述衬底上依次生长的P型接触层、吸收层、空穴势垒层以及N型接触层，所述P型接触层未生长所述吸收层的部位上制作有下电极，所述N型接触层上制作有上电极；所述空穴势垒层为InAsSb空穴势垒层。本实用新型与传统的InAs/GaSb超晶格PIN长波结构相比，引入了宽禁带的InAsSb空穴势垒层，通过掺杂调制，可使PN结耗尽区尽可能分布在InAsSb势垒层，从而有效抑制产生‑复合电流，提高器件的电学性能；InAsSb结构的空穴势垒层和N型接触层不含Al元素，可以规避含Al结构在材料生长过程中吸杂和器件加工过程中稳定性差的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种II类超晶格长波红外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022076504.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-21
授权号 ：
CN213601879U
授权日 ：
2021-07-02
发明人 ：
刘永锋张传杰
申请人 ：
武汉高芯科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡建文
优先权 ：
CN202022076504.5
主分类号 ：
H01L31/0304
IPC分类号 ：
H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/105 H01L31/18
法律状态
2021-07-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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