超晶格中长波双波段红外探测器芯片及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种超晶格中长波双波段红外探测器芯片制备方法，包括提供衬底，在衬底上生长双波段叠层锑化物超晶格材料，对双波段叠层探测器芯片的高台面进行复合钝化工艺，钝化时，包括提供阳极硫化电解液，阳极硫化电解液包括混合的无水硫化钠和二甲基亚砜溶液；利用阳极硫化电解液进行阳极硫化处理，在双波段叠层高台面上生长硫化物薄膜，硫化物薄膜覆盖高台面，并从高台面上沿伸至高台面的侧壁向下；在硫化物薄膜上沉积Al2O3薄膜形成复合钝化薄膜。本发明通过生长硫化物薄膜和Al2O3薄膜形成复合钝化薄膜，在解决界面态问题的同时，降低了器件的暗电流，显著提高了探测器的量子效率和探测率，取得了良好的钝化效果。
基本信息
专利标题 ：
超晶格中长波双波段红外探测器芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300585A
申请号 ：
CN202210205914.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈意桥孙维国颜全
申请人 ：
苏州焜原光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号
代理机构 ：
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李柏柏
优先权 ：
CN202210205914.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0216 H01L31/0304 H01L31/036 H01L31/101
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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