1.55微米波段雪崩光电探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种1.55微米波段雪崩光电探测器，从下至上依次包括衬底层、阴极接触层、N型电荷层、InAs/AlAs数字合金倍增层、P型电荷层、能带过渡层、In0.53Ga0.47As吸收层、阻挡电子向阳极方向扩散的电子阻挡层及阳极接触层；采用InAs/AlAs数字合金作为雪崩光电探测器的倍增层可将过剩噪声系数相比应用较为广泛的In0.52Al0.48As有明显下降，离化系数比从0.2下降至0.15左右；In0.53Ga0.47As吸收层采用了部分带有P型掺杂的部分耗尽结构，可以通过减少光生空穴的漂移距离而减少空穴的渡越时间，同时通过控制P型掺杂区域的厚度可避免电子在P型掺杂区域的扩散时间过长，从而实现器件响应速度的提升，同时相比于直接减少吸收区厚度的方法，可较好地避免响应度的下降。
基本信息
专利标题 ：
1.55微米波段雪崩光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361285A
申请号 ：
CN202111672513.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈佰乐王文扬
申请人 ：
上海科技大学
申请人地址 ：
上海市浦东新区华夏中路393号
代理机构 ：
上海申汇专利代理有限公司
代理人 ：
翁若莹
优先权 ：
CN202111672513.3
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0304 H01L31/18
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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