一种雪崩光电探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种雪崩光电探测器，其包括自下而上依次设置的背电极、n型InP衬底、n型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、InxGa1‑xAsyP1‑y带宽渐变层、n型InP电荷控制层和本征InP倍增层，在本征InP倍增层之上设置有p型InP中央集电区、p型InP电场保护环以及InP隔离层，电场保护环环绕在中央集电区外围，InP隔离层填充在电场保护环和中央集电区之间的间隔区域以及电场保护环外围的区域；在中央集电区、电场保护环以及InP隔离层之上设置有带金属接触窗口的光学减反膜，在光学减反膜之上设置有带光学入射窗口的上电极，上电极透过光学减反膜上的金属接触窗口与中央集电区接触。本实用新型可以提高了探测器的响应速度、降低探测器边缘被击穿的概率、减小边缘的隧穿暗电流。
基本信息
专利标题 ：
一种雪崩光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122405062.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
CN216488097U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
杨志茂王斌
申请人 ：
北京英孚瑞半导体科技有限公司
申请人地址 ：
北京市西城区百万庄大街16号1号楼8层1814室
代理机构 ：
天津创智睿诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
王海滨
优先权 ：
CN202122405062.9
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0304 H01L31/0224 H01L31/0216
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
