一种雪崩光电探测器
实质审查的生效
摘要

本公开提供了一种雪崩光电探测器,包括:衬底;第一绝缘层,形成于所述衬底上;Si器件区,形成于所述绝缘层上,其中,所述Si器件区包括呈水平排列的N型电极接触区、N型高掺区、本征倍增区、P型电荷区、本征吸收区、N型电荷区、P型高掺区以及P型电极接触区;Ge吸收层,形成于P型电荷区、本征吸收区、N型电荷区和P型高掺区的上方。其通过采用具有N型电荷区的CSACM结构,较常规SACM结构,新引入的N型电荷区可以和P型电荷区同时调控上层Ge吸收层的电场,使得探测器在穿通时Ge吸收层内尽可能多地被电场覆盖,同时控制电场的大小,使其既可使得载流子达到饱和漂移速度而提高探测器带宽,又不会产生明显的隧穿电流从而降低探测器暗电流。

基本信息
专利标题 :
一种雪崩光电探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497265A
申请号 :
CN202210131463.6
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-02-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨晓红王睿何婷婷唐永升刘一君
申请人 :
中国科学院半导体研究所;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
周天宇
优先权 :
CN202210131463.6
主分类号 :
H01L31/107
IPC分类号 :
H01L31/107  H01L31/18  H01L31/0216  H01L31/0232  
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20220211
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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