一种雪崩光电探测器
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种雪崩光电探测器，包括：衬底；第一绝缘层，形成于所述衬底上；Si器件区，形成于所述绝缘层上，其中，所述Si器件区包括呈水平排列的N型电极接触区、N型高掺区、本征倍增区、P型电荷区、本征吸收区、N型电荷区、P型高掺区以及P型电极接触区；Ge吸收层，形成于P型电荷区、本征吸收区、N型电荷区和P型高掺区的上方。其通过采用具有N型电荷区的CSACM结构，较常规SACM结构，新引入的N型电荷区可以和P型电荷区同时调控上层Ge吸收层的电场，使得探测器在穿通时Ge吸收层内尽可能多地被电场覆盖，同时控制电场的大小，使其既可使得载流子达到饱和漂移速度而提高探测器带宽，又不会产生明显的隧穿电流从而降低探测器暗电流。
基本信息
专利标题 ：
一种雪崩光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497265A
申请号 ：
CN202210131463.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨晓红王睿何婷婷唐永升刘一君
申请人 ：
中国科学院半导体研究所;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN202210131463.6
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/18 H01L31/0216 H01L31/0232
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20220211
申请日 : 20220211
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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