一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器，包括衬底、缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层、钝化层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层、P型层、第一阻挡层、第一吸收层、第二阻挡层、第二吸收层、I型层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从衬底入射，P型层上的阴极引出端接电源的负极，N型层上的阳极引出端接电源的正极，光子被第一吸收层，第二吸收层所吸收，且在第一吸收层和I型层进行倍增。本发明工艺简单，设计紧凑，同时在高温工作环境下可大幅度降低暗电流，提高增益。
基本信息
专利标题 ：
一种基于双雪崩机制的台面型雪崩单光子探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420783A
申请号 ：
CN202210123375.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李冠海李鑫陈健陈金郁菲茏赵增月陶玲李志锋陈效双陆卫
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN202210123375.1
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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