单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列
授权
摘要
本实用新型提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体埋层、主动区及N型堆栈层。主动区包括第一P型半导体井层、第一N型半导体井层、第二P型半导体井层、二个阳极及P型外延层。第一P型半导体井层配置于N型半导体埋层上，第一N型半导体井层配置于第一P型半导体井层上。第二P型半导体井层配置于第一N型半导体井层上，此二个阳极配置于第二P型半导体井层上的相对两侧。P型外延层连接第一P型半导体井层及第二P型半导体井层。N型堆栈层配置于主动区旁，且配置于N型半导体埋层上。一种单光子雪崩二极管阵列亦被提出。
基本信息
专利标题 ：
单光子雪崩二极管及单光子雪崩二极管阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122700528.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
CN216698365U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
吴劲昌谢晋安陈经纬
申请人 ：
神盾股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市东区慈云路118号30楼之1(邮递区号300)
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
易皎鹤
优先权 ：
CN202122700528.8
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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