一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，该方法包括：建立单光子雪崩二极管仿真模型进行仿真计算；基于所述仿真计算的结果，得出沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上不同位置的性能参数值；所述性能参数值包括光子探测效率和/或暗计数；对所述单光子雪崩二极管不同位置的所述性能参数值进行线积分计算；确定线积分计算结果为所述单光子雪崩二极管的性能参数值。本申请提供的一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，能够更好的反映SPAD横向不同长度部位的光子探测效率和/或暗计数的分布，并且能够获得符合实际的光子探测效率和/或暗计数。
基本信息
专利标题 ：
一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114492278A
申请号 ：
CN202210071445.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何蕤兰潇健刘超晖马四光
申请人 ：
季华实验室
申请人地址 ：
广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号
代理机构 ：
北京开阳星知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晶
优先权 ：
CN202210071445.3
主分类号 ：
G06F30/367
IPC分类号 ：
G06F30/367 G06F111/08 G06F111/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序，直接方法或松弛方法
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/367
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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