控制跨单光子雪崩二极管施加的电压的装置和电子设备
授权
摘要
本实用新型涉及控制跨单光子雪崩二极管施加的电压的装置和电子设备。在本实用新型的实施例中，一种用于控制跨单光子雪崩二极管的电压的方法包括：基于穿过单光子雪崩二极管流动的电流提供输出；以及基于所提供的输出，控制跨单光子雪崩二极管施加的电压。
基本信息
专利标题 ：
控制跨单光子雪崩二极管施加的电压的装置和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922103202.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN211044058U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
J·K·莫雷
申请人 ：
意法半导体(R&D)有限公司
申请人地址 ：
英国白金汉郡
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
郭星
优先权 ：
CN201922103202.X
主分类号 ：
G05F3/26
IPC分类号 ：
G05F3/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F3/00
应用具有自调节性能的非控制元件或非控制元件的组合来调节电变量的非回授系统
G05F3/02
调节电压或电流的
G05F3/08
其中变量是直流的
G05F3/10
利用具有非线性特性的非控制器件
G05F3/16
非控制器件是半导体器件
G05F3/20
应用了二极管与三极管的组合
G05F3/26
电流反射镜
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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