一种单光子雪崩二极管
公开
摘要
本发明公开了一种单光子雪崩二极管，包括阵列排布的多个像素单元以及设置在相邻像素单元之间的共享阴极和隔离单元，其中，所述像素单元包括二极管有源区、纳米蛾眼减反结构和微透镜，所述纳米蛾眼减反结构设置在所述二极管有源区的上表面，所述微透镜设置在所述纳米蛾眼减反结构的上表面；所述共享阴极设置在每相邻四个所述像素单元的顶角围成的区域中；所述隔离单元设置在相邻两个所述像素单元之间，用于对相邻像素单元进行光学及电学隔离。本发明将纳米蛾眼减反微结构、微透镜与光电探测器件相结合，减少特定波段光的反射，增加了回波信号中光子的利用率，从而提高量子效率，并提高系统的探测效率。
基本信息
专利标题 ：
一种单光子雪崩二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628424A
申请号 ：
CN202111675354.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡进刘阳平雨晗马瑞
申请人 ：
宁波芯辉科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市海曙区高桥镇汇贤路388号高桥商会大厦10层
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王海栋
优先权 ：
CN202111675354.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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