一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列
授权
摘要
本实用新型公开了一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列，包括外壳、第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极穿过外壳两端固定安装在二极管内部的管芯上，所述外壳上正反面设置有凹槽，所述凹槽内设置有多孔降噪板；所述外壳内部和管芯之间设置有一定的空隙；所述空隙内填充有多孔降噪板，管芯上直接包裹多孔降噪板，有利于进一步加强雪崩二极管的降噪效果；本实用新型结构设置巧妙且布置合理，本实用新型中在雪崩二极管的外壳上设置凹槽，在凹槽内安装多孔降噪板，利用声波进入多孔降噪板内部互相贯通的孔隙，空气分子受到摩擦和沾滞阻力，使空气产生振动，从而使声能转化为机械能最后因摩擦而转变为热能被吸收，起到明显的降噪效果。
基本信息
专利标题 ：
一种雪崩二极管和雪崩二极管阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021673917.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN212750857U
授权日 ：
2021-03-19
发明人 ：
黄继彬罗永志钟青松
申请人 ：
成都永铭科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市锦江区一环路东五段108号
代理机构 ：
成都佳划信知识产权代理有限公司
代理人 ：
任远高
优先权 ：
CN202021673917.5
主分类号 ：
H01L23/04
IPC分类号 ：
H01L23/04 H01L23/24 H01L23/367 H01L29/861
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
法律状态
2021-03-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
