雪崩光电二极管及其制备方法
公开
摘要
一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管的第一类型衬底具有第一表面、第二表面和中心区；PN结形成于中心区中，PN结包括电性连接的第一类型区和第二类型区；第一类型电连接部、第二类型电连接部和第二类型电阻均形成于第一类型衬底中，且均位于第一类型衬底的沿厚度方向的表面；第一类型区和第二类型电阻均与第一类型电连接部电性连接，第二类型区与第二类型电连接部电性连接，第一类型电连接部和第二类型电连接部电性隔离；遮光层覆盖位于中心区的外周的第二表面，遮光层对应中心区处形成光入射口，反射层至少覆盖位于中心区的第一表面。本申请能够适时地将雪崩效应时持续增大的反向电流导出，提高雪崩光电二极管的使用可靠性。
基本信息
专利标题 ：
雪崩光电二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300567A
申请号 ：
CN202111645424.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
康晓旭陈寿面
申请人 ：
上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请人地址 ：
上海市张江高科技园区高斯路497号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘笑
优先权 ：
CN202111645424.X
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0232 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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