雪崩光电二极管及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开一种雪崩光电二极管及其制作方法，包括：第一导电类型的硅晶片；自硅晶片表面延伸至硅晶片中的第一导电类型的电荷阻挡区；形成在电荷阻挡区上的第一导电类型的第一外延层；自第一外延层远离硅晶片的表面延伸至第一外延层中的第二导电类型的欧姆接触区，其中欧姆接触区在硅晶片上的正投影与电荷阻挡区在硅晶片上的正投影交叠；形成在欧姆接触区上的抗反射层；形成在抗反射层中的过孔和形成在过孔中的阳极；以及形成在硅晶片远离电荷阻挡区的表面上的阴极。该实施方式通过提供延伸进入硅晶片中的电荷阻挡区和形成在电荷阻挡区上的第一外延层，欧姆接触区形成在第一外延层中，降低了产品工艺难度和成本。
基本信息
专利标题 ：
雪崩光电二极管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420777A
申请号 ：
CN202210320625.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李宁杨亮王洪波王勇
申请人 ：
同源微（北京）半导体技术有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区丰豪东路九号院中关村集成电路设计园2号楼4单元902
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN202210320625.0
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/107 H01L31/18
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20220330
申请日 : 20220330
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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