一种雪崩光电二极管
授权
摘要
本申请涉及一种雪崩光电二极管，所述雪崩光电二极管自下而上依次包括衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层和帽层，所述帽层包括扩散区，所述吸收层包括掺杂环，且所述掺杂环在所述帽层上的投影覆盖所述扩散区的边缘，以降低所述扩散区边缘的电场强度。本申请提供的雪崩光电二极管可有效降低雪崩光电二极管光敏面边缘的电场强度，起到抑制边缘击穿的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种雪崩光电二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021299686.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-06
授权号 ：
CN212392253U
授权日 ：
2021-01-22
发明人 ：
李林曾磊王肇中
申请人 ：
武汉光谷量子技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号C1-901室
代理机构 ：
武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
孟欢
优先权 ：
CN202021299686.6
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0352 H01L31/18
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法律状态
2021-01-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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