本申请提供一种雪崩光电二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决雪崩光电二极管性能较差的技术问题。该雪崩光电二极管包括：衬底；设置在衬底的第一表面且间隔设置的多个第一扩散区，多个第一扩散区与第一电极电连接，多个第一扩散区与衬底的导电类型不同，多个第一扩散区以及位于相邻第一扩散区之间的衬底形成PN结；设置衬底的第二表面的第一重掺杂区，第二表面与第一表面相对设置，第一重掺杂区位于多个第一扩散区之间，且与衬底的导电类型相同，第一重掺杂区与第二电极电连接。通过调整第一扩散区的深度，以及相邻第一扩散区的间距，可以调整PN结耗尽区的长度和厚度，以增大耗尽区的尺寸，进而提高雪崩光电二极管的性能。