基于量子点的硅上雪崩光电二极管
授权
摘要
基于量子点的雪崩光电二极管(QD‑APD)可以包括硅衬底和波导，在波导上形成的量子点(QD)层堆栈具有QD光吸收层、电荷倍增层(CML)和间隔层。QD堆栈可以形成在p‑n结内。波导可以包括模式转换器以促进从波导到QD光吸收层的光学耦合和光传输。QD吸收层和CML层可以是组合的或分隔开的层。当p‑n结反向偏置时，CML可以以超过100％的量子效率从吸收的光中生成电流。
基本信息
专利标题 ：
基于量子点的硅上雪崩光电二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111490114A
申请号 ：
CN201911288582.7
公开（公告）日 ：
2020-08-04
申请日 ：
2019-12-12
授权号 ：
CN111490114B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
G·库兹韦尔梁迪B.托森张冲曾小鸽黄志宏R·博索莱伊
申请人 ：
慧与发展有限责任合伙企业
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京市汉坤律师事务所
代理人 ：
魏小薇
优先权 ：
CN201911288582.7
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/107
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20191212
申请日 : 20191212
2020-08-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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