级联雪崩倍增光电二极管
授权
摘要
本专利公开了一种级联雪崩倍增光电二极管，在衬底上有衬底氧化层，在衬底氧化层上从左到右依次有p型电极层I、p型光吸收层、电场调控层I、雪崩倍增层I、n型过渡层、低杂质浓度的电子行进层、电场调控层II、雪崩倍增层II、n型电极层，p型电极层II内嵌于低杂质浓度的电子行进层区域内，衬底氧化层上依次排列的各层被电场隔离环层环绕包围，电场隔离环层外侧区域有本征层，p型电极层I上有p电极I，p型电极层II上有p电极II，n型电极层上有n电极的构造。本专利的优点在于：本专利构造避免曲率效应，消除边缘击穿，提高稳定性，同时实现多级级联雪崩倍增单片集成，获得很高的稳定增益，且有效抑制空穴雪崩引起的噪声。
基本信息
专利标题 ：
级联雪崩倍增光电二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921931539.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN211208467U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
鞠国豪程正喜陈永平
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
上海市虹口区玉田路500号
代理机构 ：
上海沪慧律师事务所
代理人 ：
郭英
优先权 ：
CN201921931539.3
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0224
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
