一种深结雪崩倍增光控晶闸管
授权
摘要
本实用新型涉及一种深结雪崩倍增光控晶闸管，其中深结雪崩倍增光控晶闸管包括光控晶闸管芯片，所述光控晶闸管芯片包括晶闸管和光触发信号的LED装置，其中所述晶闸管阴极结构包括非欧姆接触型的光生载流子半导体区域和欧姆接触的电流收集区域，所述光控晶闸管芯片还包括设置于结J2处的雪崩倍增区域，通过改变结J2处的浓度差将雪崩倍增机制引入到光控晶闸管内，可自由控制晶闸管的导通与关断，不仅实用新型了一种新型的导通方式，而且开创了光控晶闸管的全新工作原理及使用方式。
基本信息
专利标题 ：
一种深结雪崩倍增光控晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921074963.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-10
授权号 ：
CN210040234U
授权日 ：
2020-02-07
发明人 ：
杨建红尹晋超师楷郭小星王红侠陈豪翔许炎周明
申请人 ：
兰州大学;江苏明芯微电子股份有限公司
申请人地址 ：
甘肃省兰州市城关区天水南路222号
代理机构 ：
兰州振华专利代理有限责任公司
代理人 ：
张晋
优先权 ：
CN201921074963.0
主分类号 ：
H01L31/111
IPC分类号 ：
H01L31/111 H01L31/0288 H01L31/0224
法律状态
2020-02-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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