一种吸收、倍增层分离结构的Ⅲ族氮化物半导体雪崩光电探测器
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摘要
本实用新型公开了一种吸收、倍增层分离结构的Ⅲ族氮化物半导体雪崩光电探测器，其包括衬底及生长于衬底之上的外延层，其中，外延层按自下而上的生长顺序依次为AlN缓冲层，非故意掺杂AlwGa1‑wN过渡层，非故意掺杂AlkGa1‑kN组分渐变层，重掺杂n型AlxGa1‑xN欧姆接触层，非故意掺杂AlyGa1‑yN吸收层，电荷层，非故意掺杂AlyGa1‑yN倍增层以及p型掺杂AlyGa1‑yN层；其中，所述的电荷层至少包括两层n型AlzGa1‑zN层，且电荷层中掺杂浓度依次呈高—低掺杂分布。所述探测器可有效改善III族氮化物半导体雪崩光电探测器性能，实现低噪声、低工作电压、高增益、高量子效率功能。
基本信息
专利标题 ：
一种吸收、倍增层分离结构的Ⅲ族氮化物半导体雪崩光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921333249.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-16
授权号 ：
CN210349846U
授权日 ：
2020-04-17
发明人 ：
江灏张震华邱新嘉
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
广州润禾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
林伟斌
优先权 ：
CN201921333249.9
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0304
法律状态
2020-04-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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