可剥离氮化物结构及其剥离方法

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摘要

本申请公开了一种可剥离氮化物结构，包括待剥离的支撑层以及在所述支撑层上依次形成的腐蚀牺牲层、腐蚀阻挡层和半导体器件本体，其中，所述支撑层为形成有微纳米柱阵列的衬底，或者所述支撑层包括衬底以及生长于所述衬底之上的氮化物模板层，所述氮化物模板层包含第一氮化物的微纳米柱阵列；所述腐蚀牺牲层为生长于微纳米柱阵列之上的连续的层结构，且包含掺杂的第二氮化物，所述腐蚀阻挡层包含掺杂的第三氮化物或非掺杂的第四氮化物，且掺杂的第三氮化物中的载流子浓度小于掺杂的第二氮化物中的载流子浓度。本申请的可剥离氮化物结构可以通过电化学湿法腐蚀的方式实现半导体器件本体与支撑层的剥离，从而避免了激光剥离技术所存在的问题。

基本信息

专利标题：

可剥离氮化物结构及其剥离方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112993103A

申请号：

CN202110172322.4

公开（公告）日：

2021-06-18

申请日：

2021-02-08

授权号：

CN112993103B

授权日：

2022-06-03

发明人：

张康何晨光贺龙飞吴华龙赵维刘云洲陈志涛

申请人：

广东省科学院半导体研究所

申请人地址：

广东省广州市天河区长兴路363号

代理机构：

北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

李彬彬

优先权：

CN202110172322.4

主分类号：

H01L33/20

IPC分类号：

H01L33/20 H01L33/32 H01L33/00 H01L21/78