晶闸管
授权
摘要
本公开的实施例涉及晶闸管。一种晶闸管由交替导电类型的第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域和第四半导体区域的垂直堆叠形成。第四半导体区域在晶闸管的栅极区中被中断。第四半导体区域进一步在连续通道中被中断，该连续通道从栅极区域朝向第四半导体区域的外部横向边缘纵向延伸。栅极金属层在晶闸管的栅极区之上延伸。阴极金属层在第四半导体区域之上但不在连续通道之上延伸。
基本信息
专利标题 ：
晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922298435.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-19
授权号 ：
CN211929493U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
S·梅纳尔L·让
申请人 ：
意法半导体(图尔)公司
申请人地址 ：
法国图尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN201922298435.X
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L29/74
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法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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