一种晶闸管芯片及晶闸管
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本实用新型无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种晶闸管芯片及晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021378945.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN212659546U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
王东东操国宏王政英姚震洋高军银登杰郭润庆刘军
申请人 ：
株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN202021378945.4
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L23/373
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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