晶闸管
授权
摘要
公开了一种晶闸管，该晶闸管包括N型衬底，所述N型衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；P型掺杂层，所述P型掺杂层形成于所述N型衬底的所述第一表面和/或第二表面上；沟槽，所述沟槽从所述P型掺杂层的远离所述N型衬底的表面贯穿所述P型掺杂层并延伸到所述衬底内；以及玻璃钝化保护层，所述玻璃钝化保护层形成在所述沟槽内；其中，所述P型掺杂层、所述N型衬底和所述玻璃钝化保护层之间形成有薄氧层，所述薄氧层和所述玻璃钝化保护层之间形成有半绝缘多晶硅层。
基本信息
专利标题 ：
晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922117414.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-29
授权号 ：
CN210668387U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
张环朱迺茜周继峰
申请人 ：
力特半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区硕放振发六路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周永红
优先权 ：
CN201922117414.3
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/06 H01L21/331
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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