单光子雪崩二极管
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括第一N型半导体井层、第二N型半导体井层及P型半导体井层。第二N型半导体井层配置于第一N型半导体井层上方。P型半导体井层包括第一P型半导体子层、第二P型半导体子层及P型半导体连接层。第一P型半导体子层配置于第一N型半导体井层上，第二P型半导体子层配置于第一P型半导体子层上方。第二N型半导体井层配置于第一P型半导体子层与第二P型半导体子层之间。P型半导体连接层连接第一P型半导体子层与第二P型半导体子层。第二N型半导体井层借由P型半导体井层的侧向开口与第一N型半导体井层连接。
基本信息
专利标题 ：
单光子雪崩二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284383A
申请号 ：
CN202111424193.X
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢晋安吴劲昌
申请人 ：
神盾股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市东区慈云路118号30楼之1(邮递区号300)
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
祝玉媛
优先权 ：
CN202111424193.X
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20211126
申请日 : 20211126
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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