一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器，二极管结构包括：P型外延层和布线层；若干隔离结构，每一隔离结构包括堆叠设置于P型外延层内的浅槽隔离层、隔离N阱和深槽隔离层；电极保护环，设置于布线层内且靠近浅槽隔离层；若干光源感应区，间隔分布于相邻隔离结构之间；每个光源感应区包括：堆叠设置的有源P+层、有源区P阱、深N阱和N型埋层；P阱保护环，设置于有源P+层和有源区P阱两侧；阳极电极，设置于有源P+层下方的布线层内；反射金属板，设置于与有源P+层相对的布线层内；共享阴极，包括电极N阱，设置于P型外延层内且与深N阱相接；阴极电极，设置于靠近电极N阱的布线层内。本发明可以提高探测效率。
基本信息
专利标题 ：
一种背照式硅基单光子雪崩二极管结构及光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551631A
申请号 ：
CN202210090168.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘阳刘马良马瑞胡进王夏宇李栋朱樟明
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210090168.0
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0352 H01L27/146 G01J1/42
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/107
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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