紫外单光子探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种紫外单光子探测器即雪崩光电二极管，包括SiC衬底及设置在SiC衬底上的外延结构。外延结构自上而下包括接触层、第一过渡层、i雪崩倍增层和第二过渡层，接触层及SiC衬底的表面均设有欧姆接触电极，i雪崩倍增层的厚度范围在1.5‑3μm。根据上述技术方案的紫外单光子探测器，通过增加i雪崩倍增层的厚度到1.5μm以上，增加光生载流子的加速和碰撞离化距离，改善光生载流子的雪崩倍增几率，提高器件的单光子探测性能。
基本信息
专利标题 ：
紫外单光子探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220053816.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
CN216719964U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
苏琳琳郁智豪杨成东
申请人 ：
无锡学院
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡山大道333号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
柏尚春
优先权 ：
CN202220053816.0
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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