单光子雪崩二极管
授权
摘要
本实用新型提供一种单光子雪崩二极管，包括N型半导体井层、P型半导体井层以及P型侧掺杂层。P型半导体井层配置于N型半导体井层上。P型侧掺杂层配置于N型半导体井层与P型半导体井层之间。P型侧掺杂层的深度小于P型半导体井层的深度。P型侧掺杂层的P型掺杂浓度大于P型半导体井层的P型掺杂浓度。
基本信息
专利标题 ：
单光子雪崩二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220146398.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
CN216749923U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
谢晋安
申请人 ：
神盾股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市东区慈云路118号30楼之1(邮递区号300)
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
杜娟娟
优先权 ：
CN202220146398.X
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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