一种雪崩二极管的测试装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种雪崩二极管的测试装置,其特征在于,包括信号处理电路、皮秒光脉冲产生模块、光衰减模块、控制电路、以及用来安装被测APD的测试工装,信号处理电路的光脉冲触发信号输出端连接皮秒光脉冲产生模块的输入端,信号处理电路的门控信号输出端连接测试工装上安装的被测APD,皮秒光脉冲产生模块的输出端连接光衰减模块的输入端,光衰减模块的输出端连接测试工装上安装的被测APD。本实用新型的优点在于:此测试装置解决了测试设备太多的问题,仅用一块PCB板配合测试工装即可实现APD的独立性能测试。
基本信息
专利标题 :
一种雪崩二极管的测试装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022038753.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-16
授权号 :
CN213069073U
授权日 :
2021-04-27
发明人 :
马睿蒋连军刘酩
申请人 :
科大国盾量子技术股份有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市高新区望江西路800号合肥创新产业园D3楼
代理机构 :
合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
丁瑞瑞
优先权 :
CN202022038753.5
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-04-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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