本实用新型公开了一种雪崩光电二极管，涉及光电二极管技术领域，包括底层，其包括衬底、缓冲层和光吸收层，衬底的下表面设有阴极；顶层，其设置于底层上方，顶层包括雪崩增益层和锌扩散层；锌扩散层包括非扩散区和锌扩散区，非扩散区和部分锌扩散区被刻蚀，锌扩散区未被刻蚀的部分为光敏区，锌扩散区被刻蚀的部分为环形槽；非扩散区与部分环形槽的上方蒸镀有绝缘层，未蒸镀绝缘层的环形槽和绝缘层上方蒸镀有环形阳极；环形阳极、绝缘层和阴极构成MIS结构。本实用新型的雪崩光电二极管，可产生阳极电容效应，改变阳极下方p型掺杂区域边缘的电场分布，减小耗尽区边缘曲率，降低边缘电场强度，从而抑制边缘预先击穿。