一种雪崩光电二极管
授权
摘要
本实用新型公开了一种雪崩光电二极管，包括：InP衬底层；层叠设置于InP衬底层上的吸收层；层叠设置于吸收层上的非掺杂InP层，非掺杂InP层上开设有环形凹槽，及由环形凹槽围设而成的台阶，沿环形凹槽的槽壁和槽底及沿台阶的底部形成扩散了P型导电杂质的P型导电区域，涉及光电二极管技术领域。本实用新型采用在非掺杂InP层上开设环形凹槽，及由环形凹槽围设而成的台阶，环形凹槽的深度可以用台阶仪等工具测量，较容易监控，通过环形凹槽的深度精确控制了P型导电区域的扩散深度并形成深槽保护环结构，有利于提升雪崩光电二极管的性能，实现高增益和低噪声，可重复性好、成品率高、使用性能好。
基本信息
专利标题 ：
一种雪崩光电二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920732693.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-21
授权号 ：
CN209675304U
授权日 ：
2019-11-22
发明人 ：
曾磊李瑞鑫王肇中
申请人 ：
武汉光谷量子技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号C1-901室
代理机构 ：
武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
邱云雷
优先权 ：
CN201920732693.1
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/107
法律状态
2019-11-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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