一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构，属于雪崩光电二极管领域。在P‑雪崩区、N+有源区的两侧引入Trench隔离结构，并在Trench隔离结构边缘的Si内进行抗辐照加固注入。Trench隔离结构可阻断辐照引起的漏电通道，提高了硅基APD器件抗辐照能力；另一方面，Trench隔离结构可隔离掉常见APD器件中N保护环与P外围环结构，使得器件结构更简单、尺寸更小，一片晶圆上可得到更多器件，且不需要N保护环与P外围环等相应掩模版及光刻过程，简化了制备工艺，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种抗辐照硅基雪崩光电二极管的制备方法及结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520277A
申请号 ：
CN202210147022.5
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨强谢儒彬陈全胜张明葛超洋吴建伟
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑婷婷
优先权 ：
CN202210147022.5
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L23/552 H01L31/0352 H01L31/107
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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