一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚制备方法
公开
摘要
本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。
基本信息
专利标题 ：
一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300356A
申请号 ：
CN202111479946.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张帅刘阳刘武博孙瑞瑞赵恩
申请人 ：
华东光电集成器件研究所
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市经开区汤和路2016号
代理机构 ：
安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨晋弘
优先权 ：
CN202111479946.7
主分类号 ：
H01L21/329
IPC分类号 ：
H01L21/329 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/329
包括1个或两个电极的器件，例如二极管
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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