雪崩光电探测器及其制备方法
公开
摘要
一种雪崩光电探测器及其制备方法。一种雪崩光电探测器，包括：SOI衬底，SOI衬底包括多层含Si层；掺杂层，设置在SOI衬底的上部，并包括：倍增区；n型掺杂区，设置在倍增区的横向一侧，n型掺杂区设有与倍增区具有相同厚度的阶梯部；p型掺杂区，设置在倍增区的远离n型掺杂区的外侧，与倍增区以及n型掺杂区形成横向n‑i‑p结；波导层，刻蚀在倍增区的纵向一端；窗口层，设置在掺杂层的上部，窗口层开设有第一窗口；光吸收层，经第一窗口设置在倍增区与n型掺杂区的台阶部上，从而在光吸收层内形成均匀的电场分布。
基本信息
专利标题 ：
雪崩光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566557A
申请号 ：
CN202210195439.9
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庞雅青刘智成步文郑军
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
樊晓
优先权 ：
CN202210195439.9
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/107 H01L31/18
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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