一种锗硅雪崩光电探测器
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摘要
本实用新型涉及一种光电探测器，尤其为一种锗硅雪崩光电探测器，包括探测器本体，所述探测器本体内部底部固定设有硅衬底层，所述硅衬底层上侧固定设有埋氧层，所述埋氧层上侧固定设有掺杂硅顶层，所述掺杂硅顶层上侧固定设有第二介质层，所述第二介质层上侧固定设有第一介质层，所述掺杂硅顶层上表面开设有硅波导层填充槽，所述硅波导层填充槽内部填充有硅波导层，所述第二介质层上开设有锗硅探测层填充通槽，所述锗硅探测层填充通槽内部填充有锗硅探测层，本实用新型中，通过设置的埋氧层、掺杂硅顶层和硅衬底层，采用集成式探测器，不仅体积更加小巧，并且功耗低，有效降低成本的同时，提高了探测效率。
基本信息
专利标题 ：
一种锗硅雪崩光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123209661.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
CN216528921U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
南京扬字源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市建邺区汉中门大街1号金鹰汉中新城15楼A.B.座020F
代理机构 ：
深圳市广诺专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵耀
优先权 ：
CN202123209661.X
主分类号 ：
H01L31/107
IPC分类号 ：
H01L31/107
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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