一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器，包括N型自支撑GaN衬底、同质外延N型GaN缓冲层、同质外延非故意掺杂GaN吸收层、欧姆接触电极层、半透明肖特基电极、介质钝化层和接触电极。本实用新型的优点在于采用同质外延结构有效降低外延结构的位错密度，从而减少了器件的在高压情况下的缺陷击穿，同时器件采用共平面的电极结构设计，电场方向与位错方向垂直，减少器件的漏电流进一步提高器件的信噪比，有利于微弱紫外目标信号的检测。
基本信息
专利标题 ：
一种同质外延GaN肖特基势垒型紫外雪崩探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920907835.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-17
授权号 ：
CN210167365U
授权日 ：
2020-03-20
发明人 ：
杨国锋周东渠凯军
申请人 ：
南京紫科光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁高新园天元东路1009号
代理机构 ：
合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈少丽
优先权 ：
CN201920907835.3
主分类号 ：
H01L31/0224
IPC分类号 ：
H01L31/0224 H01L31/0352 H01L31/107 H01L31/108
法律状态
2020-03-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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