一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器，包括N型SiC衬底层；在所述N型SiC衬底层正面依次外延的非故意掺杂SiC吸收层和AlN帽层；在整个器件背面设置的N型欧姆接触背电极；在所述AlN帽层上设置的半透明肖特基电极；在所述半透明肖特基电极上设置的Pad电极。本实用新型结合了AlN材料在深紫外的探测优势和与SiC材料间较小的晶格失配和热失配，采用AlN帽层作为深紫外的吸收层，大大提高SiC紫外探测器在深紫外探测的响应度，该器件具有结构简单、无需刻蚀且与LED工艺相兼容的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种深紫外增强的SiC肖特基势垒型紫外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920907839.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-17
授权号 ：
CN210092110U
授权日 ：
2020-02-18
发明人 ：
杨国锋周东渠凯军
申请人 ：
南京紫科光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁高新园天元东路1009号
代理机构 ：
合肥中谷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈少丽
优先权 ：
CN201920907839.1
主分类号 ：
H01L31/108
IPC分类号 ：
H01L31/108 H01L31/0312 H01L31/0224
法律状态
2020-02-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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