一种高速高增益的雪崩光电探测器及制备方法

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摘要

本公开提供了一种高速高增益的雪崩光电探测器及其制备方法，其芯片包括由上至下设置的三级台阶；其中：第一级台阶，包括由上至下依次设置的P电极、第一欧姆接触层、第一吸收层和第二吸收层上部；第二级台阶，包括由上至下依次设置的第二吸收层下部、过渡层、第一电荷层、倍增层、第二电荷层、渡越层和第二欧姆接触层上部；第三级台阶，包括由上至下依次设置的第二欧姆接触层下部和绝缘衬底；所述三级台阶的水平投影面积依次增大。所述芯片倍增层采用超薄InAlAs材料。所述三级台阶芯片倒扣键合在基片上。

基本信息

专利标题：

一种高速高增益的雪崩光电探测器及制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113540273A

申请号：

CN202110810709.8

公开（公告）日：

2021-10-22

申请日：

2021-07-16

授权号：

CN113540273B

授权日：

2022-05-03

发明人：

杨晓红王睿王晖何婷婷

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

任岩

优先权：

CN202110810709.8

主分类号：

H01L31/0352

IPC分类号：

H01L31/0352 H01L31/0224 H01L31/0304 H01L31/107 H01L31/18