一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法

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摘要

本申请涉及一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法，锗硅雪崩光电探测器包括埋氧层、底层、本征锗层、覆盖层、P电极和N电极，底层依次包括本征底层硅区，过渡底层硅区、倍增区、N型重掺杂底层硅区；本征锗层设于底层上；覆盖层覆盖于本征锗层上，覆盖层依次包括P型重掺覆盖层硅区、本征覆盖层硅区、过渡覆盖层硅区，过渡覆盖层硅区远离本征覆盖层硅区的一端与过渡底层硅区接触，以形成电荷过渡区；P电极与P型重掺覆盖层硅区相连；N电极与N型重掺杂底层硅区相连。本申请的锗硅雪崩光电探测器，不采用层叠结构，便于与其他功能元件集成，可大规模生产。

基本信息

专利标题：

一种锗硅雪崩光电探测器及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111883608A

申请号：

CN202010652114.X

公开（公告）日：

2020-11-03

申请日：

2020-07-08

授权号：

CN111883608B

授权日：

2022-06-03

发明人：

王磊肖希陈代高胡晓张宇光李淼峰余少华

申请人：

武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司

申请人地址：

湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层

代理机构：

武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

孟欢

优先权：

CN202010652114.X

主分类号：

H01L31/107

IPC分类号：

H01L31/107 H01L31/18