光电探测器及其制作方法
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摘要
本发明公开了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括：衬底；设置在所述衬底上的缓冲层；设置在所述缓冲层远离所述衬底一侧的波导层；设置在所述波导层远离所述缓冲层一侧的渐变光学匹配层；设置在所述渐变光学匹配层远离所述波导层一侧的吸收层和阴极；设置在所述吸收层远离所述渐变光学匹配层一侧的包层；设置在所述包层远离所述吸收层一侧的接触层；设置在所述接触层一侧的阳极；其中，所述渐变光学匹配层为单层薄膜，在第一方向上，所述渐变光学匹配层的折射率逐渐增大；所述第一方向由所述波导层指向所述吸收层。应用本发明提供的技术方案，可以实现提前聚焦，提高耦合效率，降低器件工艺难度，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
光电探测器及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111863984A
申请号 ：
CN202010751994.6
公开（公告）日 ：
2020-10-30
申请日 ：
2020-07-30
授权号 ：
CN111863984B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张博健王亮王方莉郭松坡
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
姚璐华
优先权 ：
CN202010751994.6
主分类号 ：
H01L31/0232
IPC分类号 ：
H01L31/0232 H01L31/0216 H01L31/105 H01L31/18
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法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-11-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0232
申请日 : 20200730
申请日 : 20200730
2020-10-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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