本发明提供一种边缘入射探测器及其制作方法，该探测器包括半导体层、隔离层、第一电极层、导电层及第二电极层，其中，半导体层包括位于半导体层的背面表层的第一导电类型掺杂层及位于半导体层正面表层的多个第二导电类型体区，隔离层位于半导体层的上表面，且包括多个间隔设置的凹槽及位于凹槽底部并显露体区的第一开口，第一电极层位于隔离层的上表面及填充凹槽，并通过第一开口与体区电接触，导电层位于半导体层及隔离层的侧壁，并与掺杂层电接触，第二电极层位于半导体层的背面，且与掺杂层电接触。本发明通过于半导体层的侧壁设置与半导体层电接触的第一导电类型导电层，避免了设置保护环，减小了死区面积，提升了X射线的收集效率。