本发明公开了一种X射线探测器件及其制作方法，该光栅极型X射线探测器包括衬底；底部栅电极，其形成在所述衬底上；下栅绝缘层，其形成在底部栅电极上；源电极和漏电极，其形成在栅绝缘层上且相互隔开，并与底部栅极有一定相互交叠区域；沟道半导体层，其形成在所述源电极和漏电极上；电荷收集电极，其形成在栅绝缘层上，并与所述源电极和漏电极分别由一定交叠区域；X射线光电导层，其形成在电荷收集电极和上栅绝缘层上；上电极，其形成在所述X射线光电导层上。本发明的X射线探测器件通过采用纵向堆叠的器件结构设计，采用高迁移率沟道半导体层材料和高灵敏度X射线光电导材料，能够实现高灵敏度快速X射线探测。