X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统。X射线平板探测器包括：基底；背板层，位于基底上，包括若干薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括源漏极层。走线层，位于背板层远离基底一侧，包括若干连接线。感光器件层，位于走线层远离基底一侧，包括多个第一电极，每一第一电极通过一连接线与一薄膜晶体管的源漏极层，且感光器件层在基底上的正投影与背板层在基底上的正投影不重叠。本申请能够提高X射线平板探测器的填充率，进而能够提升X射线平板探测器的分辨率和探测性能；另外，连接线的设置能够进一步提升X射线平板探测器的分辨率，且能够实现背板层与不同尺寸的感光器件层的兼容，进而能够降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
X射线平板探测器及其制作方法、探测装置、成像系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520239A
申请号 ：
CN202011311373.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-11-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈江博卢尧段立业孙拓
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
张筱宁
优先权 ：
CN202011311373.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20201120
申请日 : 20201120
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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