本发明涉及一种垂直入射超宽带集成型光电探测器芯片及其制作方法，包括：在载体上制作电容下电极和偏置网络传输线；制作电容介质层；在电容介质层上形成匹配电阻、阻抗匹配网络传输线和电容上电极；形成金属凸点；在二极管芯片背面的衬底上制作微透镜；采用倒装焊的方式将二极管芯片焊接在载体上。本发明中，通过单片集成偏置网络和阻抗匹配网络，实现了对寄生参数的控制，提高了探测器带宽；通过在背面集成微透镜提高耦合冗余度和响应度，并且避免了偏振损耗的影响；各项指标均可达到或超过目前主流的波导型探测器性能指标水平，对超宽带光电探测器的设计和制作有积极意义。