全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器
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摘要
本实用新型提供了一种全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器，解决现有超快诊断设备无法同时具备高时间分辨率、高空间分辨率性能，以及现有电子光学电真空超快诊断设备诊断效果差的问题。其中芯片包括沿入射信号光传输方向依次设置的调制光栅、光学膜系、半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构、第一增透膜、基片及第二增透膜，信号光入射调制光栅，探针光入射第二增透膜；所述光学膜系对信号光进行增透、对探针光进行增反；所述半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构用于探测信号光，并经调制光栅调制，在半导体超快响应材料GaAs/AlGaAs多量子阱结构内部形成与信号光相对应的空间分布图样；所述第一增透膜和第二增透膜对探针光进行增透。
基本信息
专利标题 ：
全光固体超快探测芯片和全光固体超快探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921026323.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-03
授权号 ：
CN210243002U
授权日 ：
2020-04-03
发明人 ：
汪韬高贵龙何凯闫欣田进寿李少辉尹飞辛丽伟
申请人 ：
中国科学院西安光学精密机械研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
董娜
优先权 ：
CN201921026323.2
主分类号 ：
G01J11/00
IPC分类号 ：
G01J11/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J11/00
测量单个光脉冲或光脉冲序列的特性
法律状态
2020-04-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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