一种紫外探测器芯片
授权
摘要
本发明涉及一种紫外探测器芯片，该芯片包括从下到上依次层叠设置的衬底、半导体缓冲层、半导体层、第一N型半导体层、第二N型半导体层、紫外光吸收层、N型半导体隔离层、半导体倍增层、P型半导体传输层和P型半导体接触层。通过在芯片中引入半导体倍增层，使得基于该芯片所制备的紫外探测器具有倍增性能，解决了AlInGaN半导体紫外探测器响应度低的问题，明显改善了AlInGaN半导体紫外探测器的光谱响应性能，尤其是日盲波段紫外探测器响应低的问题得到明显改善，拓宽了日盲波段紫外探测器的应用场景。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外探测器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114068741A
申请号 ：
CN202210045910.6
公开（公告）日 ：
2022-02-18
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
CN114068741B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
黄小辉倪逸舟
申请人 ：
至善时代智能科技（北京）有限公司;至芯半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地永大路38号1幢4层409-14室
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
王爱涛
优先权 ：
CN202210045910.6
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/105
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2022-03-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-02-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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