一种探测器芯片
授权
摘要
本实用新型公开一种探测器芯片，包括衬底、有源层、N型电极、P型电极、支撑柱，衬底上设置有源层，有源层包括N型半导体层、P型半导体层、吸收层，吸收层为InGaAs吸收层，采用光刻、腐蚀工艺去掉衬底上有源层的一部分，采用光刻、蒸发、溅射、电镀的方式在衬底上制成N型电极。本实用新型结构简单，在芯片上设置支撑柱，有效防止研磨过程中芯片表面的损伤。
基本信息
专利标题 ：
一种探测器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921551740.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-18
授权号 ：
CN210778612U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
廖世容万远涛
申请人 ：
浙江光特科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市袍江群贤路与中兴大道东南角一楼107室
代理机构 ：
绍兴普华联合专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
桑杨
优先权 ：
CN201921551740.9
主分类号 ：
H01L31/0203
IPC分类号 ：
H01L31/0203 H01L31/105
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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