边缘耦合的半导体光电探测器
授权
摘要
本申请涉及边缘耦合的半导体光电探测器。公开了一种用于监测来自激光二极管的功率的器件。该器件包括具有顶表面和与顶表面垂直的第一面的基板，其中，光通过第一面进入基板。该器件还包括第二面，沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光入射到第二面上。该器件还包括制造在基板的顶表面上的光电二极管，光电二极管用于测量沿与第一面非正交的光轴进入基板的第一面的光的强度。沿与第一面非正交的光轴通过第一面进入基板的光被第二面朝光电二极管的光活性区域反射。
基本信息
专利标题 ：
边缘耦合的半导体光电探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108254070A
申请号 ：
CN201711125727.2
公开（公告）日 ：
2018-07-06
申请日 ：
2017-11-15
授权号 ：
CN108254070B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
王志鸿P·劳D·库马尔
申请人 ：
环球通信半导体有限责任公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
李晓芳
优先权 ：
CN201711125727.2
主分类号 ：
G01J1/42
IPC分类号 ：
G01J1/42 G01J1/44 H04B10/25
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法，例如照相的曝光表
G01J1/42
采用电辐射检测器
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-12-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 1/42
申请日 : 20171115
申请日 : 20171115
2018-07-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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