半导体位置敏感辐射探测器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
半导体辐射检测器，其辐射检测元件由可在室温下工作的化合物半导体制成。该元件的输出加到包括一准高斯滤波器的脉冲形成放大器，该滤波器包括微分器和积分的组合：通过对微分器引起的信号脉冲高度和形成放大器输出的脉冲高度进行比较，获得每次辐射时有关电荷收集时间的信息，根据上述信息对形成放大器的输出进行校正，进而改善电荷收集不完全导致的能量分辨率衰变。还提供一种采用上述元件的半导体位置敏感辐射检测器。
基本信息
专利标题 ：
半导体位置敏感辐射探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85106296A
申请号 ：
CN85106296.2
公开（公告）日 ：
1986-12-24
申请日 ：
1985-06-26
授权号 ：
CN1017562B
授权日 ：
1992-07-22
发明人 ：
熊泽良彦
申请人 ：
株式会社岛津制作所
申请人地址 ：
日本东京都中京区河原镇通2条下路诺船入镇378番地
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
杨晓光
优先权 ：
CN85106296.2
主分类号 ：
G01T1/24
IPC分类号 ：
G01T1/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/24
用半导体探测器
法律状态
1999-08-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-05-05 ：
授权
1992-07-22 ：
审定
1988-09-28 ：
实质审查请求
1986-12-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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