用于核辐射探测的半导体中子探测器

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摘要

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于核辐射探测的半导体中子探测器。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器包括：衬底，所述衬底包括连为一体的上部和下部；A中子转换层，所述A中子转换层形成于所述衬底的上部，且所述A中子转换层上表面设有A金属层；B中子转换层，所述B中子转换层形成于所述衬底的下部，且所述B中子转换层下表面设有B金属层；电子收集层，所述电子收集层形成于所述A中子转换层外周的衬底的上部。所述用于核辐射探测的半导体中子探测器具有能够提高探测效率以及辐射能量分辨率，并且具有低功耗以及时间响应快的特点。

基本信息

专利标题：

用于核辐射探测的半导体中子探测器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920811529.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-05-31

授权号：

CN210015862U

授权日：

2020-02-04

发明人：

韩天宇张玲玲林恒

申请人：

无锡华普微电子有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区菱湖大道202号

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

代理人：

殷红梅

优先权：

CN201920811529.X

主分类号：

H01L31/118

IPC分类号：

H01L31/118 H01L31/0216 G01T3/08