中子探测探头及中子探测芯片
授权
摘要

本实用新型涉及一种中子探测探头及中子探测芯片,剂量率小于等于剂量限定值时,通过脉冲模式电路获取中子探测探头的探测信号,其输出脉冲数与探测信号对应的中子数相同,通过外部处理器计算得到探测结果;而当剂量率大于剂量限定值,会超过脉冲模式电路计数率上限,此时采用电流模式电路,将测量到的电流转换为电压,通过外部处理器计算探测结果。基于此,在实现辐射探测设备的芯片化的同时,通过脉冲读出模式和电流读出模式协同工作,实现中子探测芯片对中子辐射的宽量程探测。

基本信息
专利标题 :
中子探测探头及中子探测芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922285742.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-18
授权号 :
CN211318765U
授权日 :
2020-08-21
发明人 :
钟华强
申请人 :
广州兰泰胜辐射防护科技有限公司
申请人地址 :
广东省广州市天河区科韵路78.90号201房
代理机构 :
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 :
张彬彬
优先权 :
CN201922285742.4
主分类号 :
G01T1/208
IPC分类号 :
G01T1/208  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/20
用闪烁探测器
G01T1/208
专用于闪烁探测器的电路,例如,用于光电倍增管部件
法律状态
2020-08-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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